硅电容器应用于基站射频功率放大器

随着智能手机的普及，我们的生活发生了显著的变化，我们现在可以享受丰富多彩的内容。特别是随着5G的发展，天线技术的提高使人们可以实现大容量高速通信（大量的图像和视频流）、低延迟（机器人远程操作等）以及同时多连接（现场直播和观看体育比赛）。今后的6G有望进一步充实内容。
其背后的原因之一是可使用的信号频率更高让人们可以在更宽的频带上进行通信。但是，通信信号的宽带化会带来多种技术问题。本页面对该问题的村田硅电容器解决方案进行介绍。

各产品的装配图请见此处

基站在规定的带宽区域传输不同频率的基本信号。在这种情况下，放大器的非线性会导致相邻基本信号之间或基本信号与其谐波之间产生互调失真（Inter Modulation Distortion: IMD）。
IMD噪声的频率与带宽成比例关系，因此，宽带化会导致IMD噪声的频率也出现在更宽广的区域。（图1）
特别是2阶IMD噪声，其频率范围为从数十MHz到数百MHz，对信号质量和滤波器设计有很大影响。

针对2次IMD噪声，现在一般通过MLCC消除噪声。但是，为了消除高频范围内的IMD噪声，需要遏制ESL成分，而现有的实现方法由于配线的电感成分的原因，无法顺利地消除噪声。
硅电容器可以通过引线键合在FET附近贴装，因此，可以将多余的ESL成分遏制得很小，支持在数百MHz的区域内消除IMD噪声。
此外，村田的硅电容器通过专有的技术在实现了体积小、大容量的同时，还采用了常诱电性介质，因此，即使在高温环境下也能稳定使用。
此外，我们还提供厚度为100至250um的长型产品，以便硅电容器可以配置在现有的PA设计中。

引线键合系列

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如果将具有不同电容值的电容器连接至FET偏置线，则会发生反谐振，并且会产生滤波器特性较差的频率区域。因此，为了遏制反谐振，一般情况下，除了电容器之外，还常常使用阻尼电阻。在这种情况下，连接的元件数量增加，因此连接线的数量也会增加。这会导致偏置线的寄生电感成分增加，因此，滤波器的高频特性不太好。
因此，我们准备了一系列标准产品，它们使用村田的IPD（Integrated Passive Device）技术已将电容器和电阻器一体化。
这样就消除了导线的寄生电感成分，并改进了更高频率区域内的滤波器特性。

R+C　硅IPD的标准规格如下。
4.7nF+0.5Ω　厚度100um/250um
10nF+0.5Ω　厚度100um/250um　共4种

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