术语集-AMR传感器（磁力传感器） | AMR传感器（磁性传感器）的基础知识

A to Z

A-B-C

D-E-F

G-H-I

J-K-L

M-N-O

P-Q-R

S-T-U

V-W-X

Y-Z

字母表

中文

A-B-C

AMR

AMR是Anisotropic Magneto Resistance的缩写，意为各向异性磁电阻。AMR传感器包括可检测磁场的磁力线方向和不可检测磁场的磁力线方向。

G-H-I

Hoff

Hoff是关闭AMR传感器的磁场强度。
数据表上的数值为一定条件下必将关闭该产品的磁场。

Hon

Hon是打开AMR传感器的磁场强度。
数据表上的数值为一定条件下必将打开该产品的磁场强度。

IC

IC是与元件在同一电路板上形成的、进行数字处理的电路。
根据接收的磁场强度，当模拟变化的电位差超过一定阈值时，输出即会改变。因输出仅有Hi或Lo两种级别，所以可方便地完成信号处理。

M-N-O

mT

毫特斯拉，即磁通密度的单位名称。（Si单位）
CGS单位高斯的换算公式为“1mT=10高斯”。

中文

模拟输出

绝大部分AMR传感器的输出为Hi/Lo数字输出，用于开关，但部分传感器还包括仅由元件组成，且以模拟输出输出电压的产品，并不适合用于一般用途。
请您考虑使用内置处理电路的数字输出型传感器。

响应频率（驱动周期）

在某一时刻查看是否存在可打开的磁场，该时刻即为驱动周期。驱动周期越快，就会被更多地用于旋转检测，但消耗电流也会随之增大。驱动周期越慢，就越能抑制消耗电流，继而被更多地运用于打开、关闭检测等应用。

温度特性

AMR传感器中的透磁合金（Ni-Fe合金）的灵敏度随外界温度而变化。一般情况下，低温时灵敏度偏高，而高温时灵敏度则偏低。
此外，部分AMR传感器内置有温度校正电路，确保低温时灵敏度偏低，高温时灵敏度偏高。这与透磁合金的温度特性相抵消，降低了传感器的灵敏度变化量。

灵敏度

打开（或关闭）AMR传感器的磁力强度。在0（零）或弱磁场中处于关闭状态的AMR传感器打开时的磁力被称为ON灵敏度（Hon），而在强磁场中处于打开状态的AMR传感器关闭时的磁力则被称为OFF灵敏度（Hoff）。

灵敏度波动

AMR传感器的灵敏度因各个AMR传感器而异。数据表上的Hon和Hoff仅表示该产品所处范围。

强磁性金属

AMR传感器的磁阻部分采用Ni、Fe、Co等的合金薄膜，该合金为强磁性金属。
强磁性金属的电阻因外部磁场而发生变化。
因施加外部磁场，强磁性金属在原子级发生3d-band电子轨道面的旋转，并且结合电子本身具有的自旋轨道的相互作用，在3d-band电子分布中会产生畸变（d-band的波函数失真）。因此，电子会寻求能量上的稳定，继而导致传导到不同电子轨道4s-band的电子出现概率发生改变，具体表现为电阻变化。

磁阻效果

以用于磁阻元件的Ni、Fe、Co等强磁性金属为主要成分的合金薄膜因施加外部磁场，而在原子级发生3d-band电子轨道面的旋转，并且结合电子本身具有的自旋轨道的相互作用，在3d-band电子分布中会产生畸变（d-band的波函数失真）。
因此，电子会寻求能量上的稳定，继而导致传导到不同电子轨道4s-band的电子出现概率发生改变，具体表现为电阻变化。

消耗电流

AMR传感器本身消耗的电流。
消耗电流产生于流过传感器内部的IC电路、磁阻的电流。
消耗电流取决于电源电压。电源电压越大，消耗电流就越高。

元件

元件是指模拟输出型。
可通过模拟输出获取磁铁的接近方式和磁铁的旋转位置。
模拟输出可通过信号处理端的性能提高分辨率。

震动

指在一定状态下反复打开、关闭的状态。若通过外接电阻等调整电源电压，或者附近没有电容器时，可能会在内部间歇运作过程中大量消耗电流的瞬间使电压下降，从而导致电路无法打开。在即将打开的磁场中发生这种情况时，可能会发生类似震动的反复Hi、Lo的动作。敬请注意。

电阻值

AMR传感器采用根据磁力变化的电阻。
电阻值因产品而异，为数百～数百kΩ不等。因磁力大小和方向的不同，最多会改变3%左右。
电阻值虽然具有越大就越能抑制消耗电流的优点，但另一方面，因电流路径变长，元件尺寸也会相应变大。若采用细小元件，还会出现无法确保过程稳定和获得足够的变化等问题。
村田制作所的AMR传感器经过精心设计，实现了小巧的外形和低耗电量。